ntronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的优劣势.

　　MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本。

　　CPU的性能要想进一步提高，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大（看看IntelCore处理器的架构图就知道了，NVIDIA也曾攻击Intel说他们的芯片其实在卖没技术含量的缓存而已）。

　　在这方面IBM和希捷在2009年的HPCA（高性能计算机体系结构国际研讨会）上公布过有关L2缓存使用MRAM的研究成果，这里摘录如下：

　　首先设定一个模型，使用65nm COMS工艺制造SRAM和MRAM，同样的面积下后者的容量可达前者四倍，如果转换成存储cell，那么MRAM的cell数大约是40，而SRAM则是146。

　　MRAM技术也不是没有死穴，写入性能下降就是一例。模拟结果表明，MRAM的写入速度下降了12-19%，整体的IPC指令性能下降了3-7.5%左右。

　　写入数据时功耗增加也是MRAM的不足之一，SRAM写入过程只消耗0.797nJ（纳焦），而MRAM需要4.997nJ，是前者的6倍多。不过待机时就不一样了，2MB SRAM需要2.089W功耗，而8MB MRAM只需要0.255W，压倒性的胜利。

　　MRAM具有可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军及太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。

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　　已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。Parallel

　　的技术路径，其中包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制磁

　　) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的

　　、ReRAM 和 NRAM 等各种 NVM 技术具有相似的高级特征，但它们的物理渲染却大相径庭。这为每个人提供了自己的一系列挑战和解决方案。

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　　是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

　　存储器（DRAM）类似的高密度，而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等

　　与闪存（FLASH）同样是非易失性的，它还具备了写入和读取速度相同的优点，并具有承受无限多次读一写循环的能力。（在自由磁体层

　　因具有许多优点，有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的

　　写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先

　　替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时，错误率降低的

　　会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗，但当写

　　对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力，但是始终只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也许大家最为看重的是

　　这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-

　　似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式

　　，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。 SPI）总线

　　写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin一级代理英尚微电子本文介绍

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　　随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩

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